O impacto dos efeitos da memória de longo termo na linearizabilidade de amplificadores de potência baseados em AlGaN/GaN HEMT

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT)s are among the preferred options for radio-frequency power amplification in cellular base station transmitters and radar applications. However, despite their promising outlook, the pervasiveness of trapping effects makes them resilient to conventional digital predistortion schemes, which not only decrease their current range of applications but could also preclude their integration in future small cells and multiple-input multiple-output architectures where simpler predistortion schemes are mandatory. So, this PhD thesis aims at developing a meaningful link between the device physics and the linearizability of the AlGaN/GaN HEMT-based Power Amplifier (PA). In order to bridge this gap, this thesis begins with a clear explanation for the mechanisms governing the dominant source of trapping effects in standard AlGaN/GaN HEMTs, namely buffer traps. Based on this knowledge, we explain why the best known physically-supported trapping models, used to represent these devices, are insufficient and present a possible improvement to what we consider to be the most accurate model, supported by Technology Computer-Aided Design (TCAD) simulations. This has also been corroborated through a novel double-pulse technique able to describe experimentally both the capture and emission transients in a wide temporal span under guaranteed isothermal conditions. The measured stretched capture transients validated our understanding of the process while the temperature dependence of the emission profiles confirmed buffer traps as the dominant source of trapping effects. Finally, through both simulations and experimental results, we elaborate here the relationship between the emission time constant and the achievable linearity of GaN HEMT-based PAs, showing that the worst-case scenario happens when the emission time constant is on the order of the time between consecutive envelope peaks above a certain amplitude threshold. This is the case in which we observed a more pronounced hysteresis on the gain and phase-shift characteristics, and so, a stronger impact of the memory effects. The main outcome of this thesis suggests that the biggest linearizability concern in standard AlGaN/GaN HEMT-based PAs lies on the large emission time constants of buffer traps.AlGaN/GaN HEMTs estão entre as opções preferidas para amplificação de potência de radiofrequência em transmissores de estacão base celular e aplicações de radar. No entanto, apesar de sua perspetiva promissora, a influência dos efeitos de defeitos com níveis profundos torna-os imunes aos esquemas convencionais de pre-distorção digital. Assim, esta tese de doutoramento visa desenvolver uma ligação significativa entre a física do dispositivo e a linearização de amplificadores de potência baseados em Al- GaN/GaN HEMTs. Por forma a preencher esta lacuna, esta tese começa com uma explicação clara dos mecanismos que governam a fonte dominante de efeitos de defeitos com níveis profundos em AlGaN/GaN HEMTs standard, especificamente defeitos no buffer. Com base neste conhecimento, são aparentadas as falhas dos modelos físicos mais conhecidos de defeitos de nível profundo usados para representar estes dispositivos, assim como uma possível melhoria suportada em simulações de TCAD. Isto é também corroborado por uma nova técnica de duplo-pulso capaz de descrever experimentalmente os transientes de captura e emissão num amplo intervalo temporal sob condições isotérmicas. Os transientes de captura medidos validam a nossa compreensão do processo, enquanto que a dependência da temperatura nos perfis de emissão confirmou os defeitos no buffer como a fonte dominante de efeitos de defeitos com níveis profundos. Por fim, através de simulações e resultados experimentais, elabora-se aqui a relação entre a constante de tempo de emissão e a linearizabilidade dos amplificadores baseados em AlGaN/GaN HEMT, mostrando que o pior cenário acontece quando a constante de tempo de emissão é da mesma ordem do tempo entre picos consecutivos da envolvente acima de um certo limiar de amplitude. Este é o caso para o qual se observa uma histerese mais pronunciada nas características de ganho e fase e, consequentemente, um impacto mais forte dos efeitos de memória. O resultado principal desta tese sugere que a maior preocupação na linearização de amplificadores baseados em AlGaN/GaN HEMTs standard está nas grandes constantes de tempo de emissão dos defeitos no buffer.Programa Doutoral em Engenharia Eletrotécnic

Bloqueio de Plexo Braquial guiado por neurolocalizador para Osteossíntese de rádio e ulna e cão(relato de caso)

The Supervised Curricular Internship was carried out with the autonomous Veterinarian Cinthian Cássia Mendonça, in the city of Araguaína in the area of Veterinary Anesthesiology, from March 13 to May 25, 2023, accounting for a workload of 390 hours, under the guidance of Prof. . . Dr. Andressa Francisca Silva Nogueira and supervisor of the Veterinary Doctor MSc. Cinthian Cássia Mendonça. During this period, monitoring of anesthesia for elective and non-elective surgeries and studies related to the area was carried out. A total of 67 procedures were followed, 2 of which were sedation and 65 were general anesthesia, with pathological ovariohystectomy as the most frequent procedure. This report describes the internship location and the anesthetic procedure performed on a dog for osteosynthesis of the radius and ulna, attended during the completion period of the curricular internship.O Estágio Curricular Supervisionado foi realizado com a Médica Veterinária autônoma Cinthian Cássia Mendonça, na cidade de Araguaína na área de Anestesiologia Veterinária, no período de 13 de março à 25 de maio de 2023, contabilizando a carga horária de 390 horas, sob orientação dA Prof.ª. Drª. Andressa Francisca Silva Nogueira e supervisão da Médica Veterinária MSc. Cinthian Cássia Mendonça. Durante esse período foi realizado o acompanhamento de anestesias para cirurgias eletivas, não eletivas e procedimentos não cirúrgicos e estudos relacionados à área. Foram acompanhados 67 procedimentos, sendo eles 2 sedações e 65 anestesias gerais, tendo ovariohistectomia patológica como de maior ocorrência. O presente relatório descreve o local de estágio e o procedimento anestésico realizado em um cão para osteossíntese de rádio e ulna, atendido durante o período de realização do estágio curricular

Estudo e análise da usabilidade e fatores humanos na instalação do equipamento de ressonância magnética Siemens Magnetom Aera

Trabalho de Conclusão de Curso (graduação)—Universidade de Brasília, Faculdade UnB Gama (FGA), Engenharia Eletrônica, 2017.O processo de instalação e inicialização de uma ressonância magnética é um processo que passa por diversos setores de responsabilidade geridos e executados por fatores humano, sendo assim sujeito a problemáticas de execução. Estudou-se então aspectos responsáveis por estas problemáticas de execução e suas respectivas causas, embasadas em princípios de funcionamentos e em uma execução ideal de projeto, onde concluiu-se que as maiores problemáticas eram causadas por fatores de gestão e comunicação, e que não eram possíveis eliminar ou diminuir estes fatores humanos, sendo estes os maiores responsáveis por atrasos e consequentemente maiores custos. Depois de estudadas e evidenciadas estas problemáticas, foram propostas seis soluções visando aperfeiçoar a comunicação entre partes envolvidas e integralizar o processo como um todo. Soluções estas que consistem em uma nova metodologia de comunicação e forecast entre Gestores de Projeto e Coordenadores de Serviço, criação da tarefa IPRO para gestão installation protocol, novo parágrafo na carta de apresentação ao cliente referente a reserva e disponibilidade de agenda de engenheiro, ciência do Termo de Entrega (TE) também para Gestores Regionais de Serviços, Handover (entrega) e visita de CSEs ao site durante ou ao fim da montagem mecânica e conscientização sobre o registro de NCCs por parte de responsáveis de execução de Startup.The process of installation and initialization of an magnetic resonance imaging scanner is a process that goes through several sectors of responsibility managed and executed by human factors, being thus subject to execution problems. It was studied aspects responsible for these problems of execution and their respective causes, based on an ideal execution of a project, where it was concluded that the biggest problems were caused by management and communication factors, and that were not possible to eliminate or reduce these human factors, which are responsible for delays and consequently higher costs. After studying and highlighting these problems, six solutions were proposed aiming to improve the communication between the parties involved and to integrate the process as a whole. These solutions consist on a new methodology of communication and forecasting between Project Managers and Service Coordinators, creation of the IPRO task for management installation protocols, new paragraph in the letter of presentation to the client regarding the reservation and availability of engineer's agenda, knowledge of the Proof of Delivery (TE) also for Regional Service Managers, Handover (delivery) and CSEs visit to the site during or at the end of the mechanical assembly and awareness about the registration of NCCs by Startup executives

Propriedades memristivas em GaN HEMTs afectados por defeitos de níveis profundos

Mestrado em Engenharia FísicaNesta dissertação de Mestrado nós avaliamos as características da corrente do canal de um GaN High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) pelas suas características memristivas. Utilizando uma implementação do modelo físico de SRH em Matlab e diversas medidas experimentais pulsadas I-V e resultados de excitação sinusoidal, n os demonstramos que o canal de um GaN HEMT afectado por traps de níveis profundos pode, de facto, apresentar as duas características fundamentais do critério de memristividade: (i) Uma trajetória com histerese comprimida no espaço de fase iDS /vDS quando o dispositivo e excitado por um estimulo sinusoidal, e (ii) uma histerese cuja área é monotónica e desvanece para frequências cada vez maiores.In this MSc Thesis we evaluate the channel current characteristics of a GaN High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) for its potential memristive characterisics. Using a Matlab implementation of the SRH physics model and several experimental pulsed I/V and sinusoidal excitation data, we demonstrate that GaN HEMT channels a ected by deep level traps can indeed display the two fundamental memristive criteria: (i) A pinched hysteretic trajectory in the iDS=vDS phase plane when the device is excited by a sinusoidal stimulus, and (ii) a hysteresis area that is monotonic and vanishes for increasingly higher frequencies

Satisfação dos pais em relação ao cuidado em unidade de terapia intensiva pediátrica

Objetivo: Verificar a satisfação dos pais em relação ao cuidado prestado ao filho internado na unidade de terapia intensiva pediátrica e fatores clínicos associados.Método: Pesquisa exploratória, transversal, com 84 pais, em hospital privado de São Paulo, Brasil. A coleta de dados ocorreu de março de 2019 a janeiro de 2020, no pós-alta. Os dados foram analisados por estatística descritiva e Coeficiente de Correlação de Spearman.Resultados: A média de satisfação foi alta (5,75) (DP=0,35). Não houve correlação da satisfação dos pais com tempo de internação, gravidade e doença.Conclusão: Os pais apresentaram altos níveis de satisfação com o cuidado recebido na terapia intensiva pediátrica, independentemente da classificação da doença, tempo de internação ou gravidade. Observou-se maior satisfação nos domínios atitude profissional, cuidado e cura, informação e participação dos pais. Palavras-chave: Unidades de terapia intensiva pediátrica. Qualidade da assistência à saúde. Satisfação do paciente. Enfermagemfamiliar

Análise de medidas de prevenção combinadas sobre a incidência de HIV/AIDS no Brasil (1980–2020)

Introdução: O vírus da imunodeficiência humana (HIV) ataca o sistema imunológico. A síndrome da imunodeficiência adquirida (AIDS) é a manifestação clínica mais avançada. As estratégias de prevenção evoluíram ao longo do tempo conforme os avanços científicos. Do ponto de vista institucional, o Sistema Único de Saúde (SUS) disponibiliza ferramentas de prevenção combinada a toda a população brasileira de forma gratuita e universal. Contudo, apesar de todos os avanços terapêuticos, o HIV/AIDS continua sendo um grave problema de saúde pública. Objetivo: Analisar as medidas de prevenção combinada sobre a incidência de HIV/AIDS no Brasil no período entre 1980 e 2020. Métodos: Quantitativo, observacional, longitudinal e retrospectivo. Estatisticamente, foram realizadas análises descritiva e multivariada, mais especificamente a técnica de correção linear. As variáveis de interesse foram a incidência de caso e as distribuições de: testes para infecções sexualmente transmissíveis (IST), preservativos, profilaxia pós-exposição sexual ao HIV (PEP) e a profilaxia pré-exposição ao HIV (PrEP). Os dados utilizados são de caráter público e obtidos em repositórios governamentais. Resultados: O país acumula 1.037.878 casos de infecção, com média de 25.947 novos casos por ano. Quanto aos insumos de profilaxia, cinco das seis variáveis demonstraram correlação negativa com a taxa de incidência. Apenas a distribuição de preservativos masculinos teve correlação positiva. A análise do efeito da PrEP não foi estatisticamente significativa. Conclusão: O Brasil tem reduzido a incidência da doença à medida que avançam as medidas de prevenção combinada. É necessário mais tempo para analisar o impacto da PrEP na incidência de novos casos.

A EDUCAÇÃO EM SAÚDE NA PRÁTICA PROFISSIONAL DO ENFERMEIRO: REVISÃO NARRATIVA

A EDUCAÇÃO EM SAÚDE NA PRÁTICA PROFISSIONAL DO ENFERMEIRO: REVISÃO NARRATIV

A EDUCAÇÃO EM SAÚDE NA PRÁTICA PROFISSIONAL DO ENFERMEIRO: REVISÃO NARRATIVA

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